برق و صنعت تیکوا نیرو

ارائه دهنده پنل های خورشیدی،اینورتر،شارژ کنترلرو .....

 

ارتباط با برق و صنعت تیکوا نیرو

نشانی : تهران، لاله زار جنوبی، کوچه بوشهری،مجتمع تجاری تهران الکتریک، طبقه اول، واحد 232

شماره تماس: 33999115 21-98+

IGBT

IGBT

 برای درایو کردن تمام ترانزیستور کافی است بدانید مشخصات ورودی آنها به طور کامل مورد استفاده قرار گیرد در ترانزیستور igbt باید مدار قرار گرفته بین دو پایه ی گیت و امیتر مورد توجه قرار گیرد تا این مشخصات سبب ایجاد مشکلات در درایو کردن این ترانزیستور نشود. IGBT  یک ترانزیستور قطبی است که فرمان اعمال شده به آن توسط پایه GATE  صورت می گیرد از دیدگاه خروجی شبیه ترانزیستور قطبی می باشد و از دیدگاه ورودی  ویژگی های FET  را دارد . پایه ی گیت از دو صفحه فلزی رسانا تشکیل شده این صفحه ها جهت ایجاد میدان های الکترو استاتیکی مورد استفاده است سطح این صفحات توسط  لایه ی نازکی از اکسید سیلیکون پوشانده شده است وهر یک از این صفحات عایق به سه نیمه هادی درساختار داخلی IGBT  متصل شده است.

 

آشنایی با آی جی بی تی IGBT قطعه‌اي با اهميت جهت ساخت سوئيچ استاتيك كارا در زمينهء الكترونيك قدرت مي‌باشد. تقريبا از سال 1990 به بعد، عمدهء پيشرفتها در زمينه الكترونيك قدرت براساس استفاده از IGBT بوده است . با استفاده از IGBT ابعاد مبدلها كاهش چشمگيري مي‌يابد و عمليات كنترل و سوئيچ توانهاي بالا به سهولت انجام مي‌پذيرد. هدف از اجراي اين پايان‌نامه مطالعه رفتار IGBT، ارائهء يك مدل رفتاري براي آن و بررسي عملكرد IGBTها در مدولهاي موازي و سري به منظور دستيابي به سوئيچهاي استاتيك با توانايي تحمل ولتاژ و جريان زیاد است . با توجه به…
ساختار N-CHANAL-IGBT : IGBT یک ترانزیستور قطبی است که فرمان اعمال شده به آن توسط پایه GATE انجام می شود از دیدگاه خروجی شامل ترانزیستور قطبی است و از دیدگاه ورودی ویژگی های FET را دارد . پایه ی گیت از دو صفحه فلزی رسانا تشکیل شده این صفحه ها جهت ایجاد میدان های الکترو استاتیکی به کار می روند.سطح این صفحات توسط لایه ی نازکی از اکسید سیلیکون پوشانده شده وهر یک از این صفحات عایق به سه نیمه هادی درساختار داخلی IGBT متصل می باشد.دو نیمه هادی نوع N و یک نیمه هادی نوع. P دیود ها در…
ساختار راه انداز گیت IGBT: ساختار راه انداز گیت دارای خروجي تمام پل، مدارهاي كنترل منطقي و تأخيرهاي مورد احتیاج می باشد. اين ساختار در برخی مدارهاي راه انداز با اندك تغييرات مورد استفاده مي شود. طراحی و ساخت یک راه انداز گیت IGBT با حفاظتهای لازم: راه اندازهای گیت در مبدل های قدرت نوین که از عنصر قدرت IGBT استفاده می شود، باید چندین عملکرد اساسی همچون ایزولاسیون الکتریکی، تقویت جریان و حفاظت در برابر اضافه جریان و ولتاژ را به اجرا بگذارند. یک نمونه از چنین راه اندازهایی را توصیف می کند که تماماً توسط ادوات الکترونیک برای…
کاربرد IGBT: IGBT بعنوان یک ترانزیستور فلز اکسید با گیت ایزوله نیز شناخته می شود(MosIGT) یا ترانزیستور اثر میدانی با مدولاسیون هدایتی (COMFET) و یا ترانزیستور اثر میدانی با مدولاسیون بهره نیز خوانده می شود. همچنین در ابتدای ظهور، ترانزیستور با گیت ایزوله به کار می رود. IGBT چیست؟ IGBT از ترکیب ترانزیستور های BJT و MOSFET می باشد.به صورتی که از دید ورودی شما یک MOSFET را می بینید و از نظر خروجی یک BJT. در نتیجه، IGBT شامل امپدانس ورودی بالا (گیت عایق) و قابلیت جریان دهی بالا (در خروجی) و تلفات کم می باشد. اگر ولتاژ گیت،…
IGBT چیست؟ (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده)یک نیمه هادی جدید و کاملاً صنعتی می باشد که از ترکیب دو نوع ترانزیستور BJT و MOSFET تشکیل شده است به صورتی که از دید ورودی شما یک ترانزیستور MOSFET را می بینید و از نظر خروجی یک BJT . BJTها وMOSFETها دارای خصوصیات و مزیت هایی می باشند که از نقطه نظرهایی یکدیگر را تکمیل می کنند.BJTها در حالت روشن (وصل) دارای تلفات هدایت کمتری هستند در صورتی که زمان سوئیچینگ آنها به خصوص در زمان خاموش شدن طولانی تر می باشد. انواع مدل های IGBT: نیمه هادی IGBT مارک…
ویژگی IGBT : این وسیله در سوییچ کردن و تغییر نیروی برق در بسیاری از وسایل مدرن مثل ماشین های برقی، قطار ها ، مترو ،یخچال ها ، بالاست لامپها و سیستم های مطبوع کاربرد دارد. IGBT مشخصات ترانزیستور Mosfet با جریان بالا و ولتاژ پایین ترکیب می شود . IGBT دارای ترکیبی از مشخصات ترانزیستور Mosfet و BJT است. این وسیله در UPS نیز کاربرد دارد. خصوصیات IGBT : IGBT برای مقیاس گذاری و انسداد ولتاژ نیز کاربرد دارد . IGBT بزرگ دارای قطعات موازی وبا کیفیت بسیاری هستند و می توانند با جریان بالا نیز کار کنند. IGBT…

طراحی و پیاده سازی M.A

کلیه حقوق این سایت متعلق به تیکوا نیرو می باشد

Search