برق و صنعت تیکوا نیرو

ساختار N-CHANAL-IGBT :

IGBT  یک ترانزیستور قطبی است که فرمان اعمال شده به آن توسط پایه GATE  انجام می شود از دیدگاه خروجی شامل ترانزیستور قطبی است و از دیدگاه ورودی  ویژگی های FET  را دارد . پایه ی گیت از دو صفحه فلزی رسانا تشکیل شده این صفحه ها جهت ایجاد میدان های الکترو استاتیکی به کار می روند.سطح این صفحات توسط  لایه ی نازکی از اکسید سیلیکون پوشانده شده وهر یک از این صفحات عایق به سه نیمه هادی درساختار داخلی IGBT  متصل می باشد.دو نیمه هادی نوع N  و یک نیمه هادی نوع. P

دیود ها در ساختار IGBT :

همان طور که می دانید  در ساختار igbt چهار اتصال نیمه هادی نوع n وp وجود دارد که هر کدام از این پیوند ها در مدار معادل می توانند با یک دیود ساخته شوند .

خازن ها در ساختار  igbt :

پایه ی گیت در این ترانزیستور از دو صفحه ی رسانا تشکیل شده است که با اتصال این صفحات توسط دی الکتریک به نیمه هادی ها ساختار خازنی تشکیل می شود. همچین با اتصال دو نیمه هادی نوع N وP  به یکدیگر یک ساختار خازنی به وجود می آید که پتانسیلی به اندازه ی ولتاژ گام در آن ذخیره می باشد . در ساختار هر IGBT پنج نیمه هادی استفاده شده است به همین دلیل با اتصال آنها چهار پیوند خازنی تشکیل می شود.

دانلود کاتالوگ SEMIKRON مدل SKM 300