ساختار راه انداز گیت IGBT:
ساختار راه انداز گیت دارای خروجي تمام پل، مدارهاي كنترل منطقي و تأخيرهاي مورد احتیاج می باشد. اين ساختار در برخی مدارهاي راه انداز با اندك تغييرات مورد استفاده مي شود.
طراحی و ساخت یک راه انداز گیت IGBT با حفاظتهای لازم:
راه اندازهای گیت در مبدل های قدرت نوین که از عنصر قدرت IGBT استفاده می شود، باید چندین عملکرد اساسی همچون ایزولاسیون الکتریکی، تقویت جریان و حفاظت در برابر اضافه جریان و ولتاژ را به اجرا بگذارند. یک نمونه از چنین راه اندازهایی را توصیف می کند که تماماً توسط ادوات الکترونیک برای IGBT های قدرت متوسط و یا زیاد مناسب می باشد این راه اندازها دارای منبع تغذیه سوئیچینگ ایزوله، مدارهای بافر، برخی توابع حفاظتی و همچنین حفاظت در برابر اتصال کوتاه IGBT ها می باشد. مدارها باید توانایی اعمال جریان تا اوج 6 آمپر با تداوم 50% با اعمال سیگنال ورودی در سطح TTLرا دارا باشند.
دانلود کاتالوگ SEMIKRON مدل SKM 200