برق و صنعت تیکوا نیرو

 برای درایو کردن تمام ترانزیستور کافی است بدانید مشخصات ورودی آنها به طور کامل مورد استفاده قرار گیرد در ترانزیستور igbt باید مدار قرار گرفته بین دو پایه ی گیت و امیتر مورد توجه قرار گیرد تا این مشخصات سبب ایجاد مشکلات در درایو کردن این ترانزیستور نشود. IGBT  یک ترانزیستور قطبی است که فرمان اعمال شده به آن توسط پایه GATE  صورت می گیرد از دیدگاه خروجی شبیه ترانزیستور قطبی می باشد و از دیدگاه ورودی  ویژگی های FET  را دارد . پایه ی گیت از دو صفحه فلزی رسانا تشکیل شده این صفحه ها جهت ایجاد میدان های الکترو استاتیکی مورد استفاده است سطح این صفحات توسط  لایه ی نازکی از اکسید سیلیکون پوشانده شده است وهر یک از این صفحات عایق به سه نیمه هادی درساختار داخلی IGBT  متصل شده است.