برق و صنعت تیکوا نیرو

ارائه دهنده پنل های خورشیدی،اینورتر،شارژ کنترلرو .....

 

ارتباط با برق و صنعت تیکوا نیرو

نشانی : تهران، لاله زار جنوبی، کوچه بوشهری،مجتمع تجاری تهران الکتریک، طبقه اول، واحد 232

شماره تماس: 33999115 21-98+

%ب ظ، %10 %872 %1393 ساعت %19:%شهریور

IGBT- مارک SEMIKRON مدل SKM300

ساختار N-CHANAL-IGBT :

IGBT  یک ترانزیستور قطبی است که فرمان اعمال شده به آن توسط پایه GATE  انجام می شود از دیدگاه خروجی شامل ترانزیستور قطبی است و از دیدگاه ورودی  ویژگی های FET  را دارد . پایه ی گیت از دو صفحه فلزی رسانا تشکیل شده این صفحه ها جهت ایجاد میدان های الکترو استاتیکی به کار می روند.سطح این صفحات توسط  لایه ی نازکی از اکسید سیلیکون پوشانده شده وهر یک از این صفحات عایق به سه نیمه هادی درساختار داخلی IGBT  متصل می باشد.دو نیمه هادی نوع N  و یک نیمه هادی نوع. P

 

 

دیود ها در ساختار IGBT :

همان طور که می دانید  در ساختار igbt چهار اتصال نیمه هادی نوع n وp وجود دارد که هر کدام از این پیوند ها در مدار معادل می توانند با یک دیود ساخته شوند .

 

خازن ها در ساختار  igbt :

پایه ی گیت در این ترانزیستور از دو صفحه ی رسانا تشکیل شده است که با اتصال این صفحات توسط دی الکتریک به نیمه هادی ها ساختار خازنی تشکیل می شود. همچین با اتصال دو نیمه هادی نوع N وP  به یکدیگر یک ساختار خازنی به وجود می آید که پتانسیلی به اندازه ی ولتاژ گام در آن ذخیره می باشد . در ساختار هر IGBT پنج نیمه هادی استفاده شده است به همین دلیل با اتصال آنها چهار پیوند خازنی تشکیل می شود.

 

 

دانلود کاتالوگ SEMIKRON مدل SKM 300

منتشرشده در IGBT

طراحی و پیاده سازی M.A

کلیه حقوق این سایت متعلق به تیکوا نیرو می باشد

Search